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防静电的理论
      

 

防静电的理论
 
 
静电产生的原因：
 
常用物品的摩擦起电序列：
下表中越靠左侧的物品，越易产生负电荷；反之，越靠右侧的物品，越易产生正电荷。亦即，在序列中距离越远的物品之间相互接触分离或摩擦，产生的静电电位就越高。
(-)
 
(+)
 
聚
乙
烯
金
银
铜
硬
橡
皮
棉
花
纸
铝
羊
毛
尼
龙
人
的
头
发
玻
璃
人
手
 
               
 
典型的静电电压：
 
静电电荷源
测得的电压（V）
10%--20%RH
65%--90%RH
走过地毯
35000
1500
在聚烯烃类塑料地面行走
12000
250
工作台旁操作的工人
6000
100
翻动聚乙烯膜封皮的说明书
7000
600
从工作台拾起普通聚乙烯袋
20000
1200
垫有聚氨酯泡沫的工作椅
18000
1500

2．静电在工业生产中造成的危害

静电的产生在工业生产中是不可避免的，其造成的危害主要可归结为以下两种机理：

其一：静电放电（ESD）造成的危害：

（1） 引起电子设备的故障或误动作，造成电磁干扰。
（2） 击穿集成电路和精密的电子元件，或者促使元件老化，降低生产成品率。
（3） 高压静电放电造成电击，危及人身**。
（4） 在多易燃易爆品或粉尘、油雾的生产场所极易引起爆炸和火灾。

其二，静电引力（ESA）造成的危害：

（1） 电子工业：吸附灰尘，造成集成电路和半导体元件的污染，大大降低成品率。
（2） 胶片和塑料工业：使胶片或薄膜收卷不齐；胶片、CD塑盘沾染灰尘，影响品质。
（3） 造纸印刷工业：纸张收卷不齐，套印不准，吸污严重，甚至纸张黏结，影响生产。
（4） 纺织工业：造成根丝飘动、缠花断头、纱线纠结等危害。

　　静电的危害有目共睹，现在越来越多的厂家核相仪已经开始实施各种程度的防静电措施和工程。但是，要认识到，完善有效的防静电工程要依照不同企业和不同作业对象的实际情况，制定相应的对策。防静电措施应是系统的、**的，否则，可能会事倍功半，甚至造成破坏性的反作用。
静电放电(ESD)控制大纲要求
 
 
控制大纲计划
分级
设计保护(不包括零件设计)
保护区
保护罩
操作程序
培训
硬件标记
文件
包装
质量保证规定检查和评定
失败分析
设计
 
 
 
 
-
 
 
 
 
 
 
 
生产
 
-
-
 
 
 
 
 
 
 
 
 
检查和试验
 
-
-
 
 
 
 
 
 
 
 
 
贮存和运输
 
-
-
 
 
 
 
 
 
 
 
-
安装
 
-
-
 
 
 
 
 
 
 
 
-
维护和修理
 
-
-
 
 
 
 
 
 
 
 
 
注:" "表示考虑,"-"表示不考虑
 
美国联邦标准FS209的空气洁净度级别
 
级别名称
0.1um
0.2um
0.3um
0.5um
5um
容积单位
容积单位
容积单位
容积单位
容积单位
国际单位
英制单位
(m3)(ft3)
(m3)(ft3)
(m3)(ft3)
(m3) (ft3)
(m3) (ft3)
M1.5
1
1240 35.3
265 7.50
106 3.00
35.3 1.00
.......
M2.5
10
1240 350
26500 750
1060 30.0
353 10.0
.......
M3.5
100
... ...
26500 750
10600 300
3530 100
.......
M4.5
1000
... ...
... ...
... ...
35300 100
247.7 7.00
M5.5
10000
... ...
... ...
... ...
353000 1000
2470 70.0
M6.5
100000
... ...
... ...
... ...
3530000 100000
247000 700
 
气载微业洁净等级（ISO14644-1）
 
 
ISO Classification Number
Maxlmum Concentration limit(particles/M3of air)
equal to or larger than considered sizes shown bolew
0.1um
0.2um
0.3um
0.5um
1um
5um
ISI01
10
2
 
 
 
 
ISI02
100
24
10
4
 
 
ISI03
1,000
237
102
35
 
 
ISI04
10,000
2,370
1020
352
83
 
ISI05
100,000
237,000
10,2000
3,520
832
29
ISI06
1,000,000
237,000
102,000
35,5200
8,320
293
ISI07
 
 
 
352,000
83,200
2,930
ISI08
 
 
 
3,520,000
832,000
29,300
ISI09
 
 
 
35,200,000
8,320,000
293,000
 
一些器件型的静电敏感电压值
 
 
 
 
 
VMOS
30-1800
运算放电器
190-2500
MOSEET
100-200
JEFT
140-1000
GaAsFET
100-300
SCL
680-1000
PROM
100
STTL
300-2500
CMOS
250-2000
DTL
380-7000
HMOS
50-500
肖特基二极管
300-3000
E/DMOS
200-1000
双极型晶件管
380-7000
ECL
300-2500
石英压电晶体器件
<10000
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